Superjunction MOSFETs Revolucionan la Electrónica
Tecnología de Vanguardia para la Eficiencia Energética
La industria de la electrónica de potencia continúa evolucionando con el desarrollo de dispositivos semiconductores que superan las limitaciones de los MOSFETs planares de alto voltaje tradicionales. Una innovación destacada en este campo es la tecnología MDmesh de STMicroelectronics, basada en MOSFETs de superjunction. Esta tecnología, ideal para fuentes de alimentación conmutadas, utiliza una estructura de multi-drenaje en superjunción para minimizar la caída de voltaje entre el drenaje y la fuente, enfrentándose a desafíos como el alto índice de fugas y el voltaje de ruptura suave, que pueden surgir debido a contaminantes o defectos en la formación del bulk.
Materiales Avanzados para Dispositivos Semiconductores
Los dispositivos semiconductores de potencia, valorados por su eficiencia y versatilidad en aplicaciones como la calefacción por inducción, vehículos eléctricos y energías renovables, dependen cada vez más de materiales como el carburo de silicio (SiC) y el nitruro de galio (GaN). Estos materiales ofrecen un amplio bandgap y propiedades superiores en comparación con el silicio, lo que permite voltajes de ruptura más altos. La comprensión detallada de los efectos de unión y estructuras es crucial para la monitorización en línea de SiC, la localización de defectos y el análisis de fiabilidad. Para GaN, las dislocaciones presentan desafíos, subrayando la necesidad de un enfoque integral para la caracterización de semiconductores de potencia.
Soluciones Innovadoras de Zeiss y Kleindiek Nanotechnik
Zeiss y Kleindiek Nanotechnik han presentado una solución conjunta innovadora para el análisis de defectos y la caracterización de semiconductores de potencia. Utilizando un microscopio de haz de iones enfocado y electrones de barrido (FIB-SEM) de Zeiss para el fresado y la imagen, junto con software avanzado para la visualización de datos tomográficos, esta tecnología permite una investigación detallada de los sitios de falla sub-superficiales y perfiles de unión. Además, el uso de FIB-SEM tomografía en combinación con medidas de corriente inducida por haz de electrones (EBIC) ofrece una visión detallada en 3D de la salud de la unión y la arquitectura del dispositivo, esencial para el análisis de fallos, el desarrollo de procesos y la monitorización.