31994R3190

RÈGLEMENT (CE) No 3190/94 DU CONSEIL du 19 décembre 1994 portant suspension temporaire des droits autonomes du tarif douanier commun sur un certain nombre de produits industriels (microélectronique et secteurs connexes - deuxième série)

LE CONSEIL DE L'UNION EUROPÉENNE

vu le traité instituant la Communauté européenne, et notamment son article 28,

vu la proposition de la Commission,

considérant que, pour les produits visés au présent règlement, la production est actuellement insuffisante ou nulle dans la Communauté et que les producteurs ne peuvent ainsi répondre aux besoins des industries utilisatrices de la Communauté;

considérant qu'il est de l'intérêt de la Communauté de suspendre totalement les droits autonomes du tarif douanier commun pour ces produits;

considérant qu'il incombe à la Communauté de décider de la suspension de ces droits autonomes;

considérant que, compte tenu des difficultés d'apprécier de manière rigoureuse, dans un proche avenir, l'évolution de la situation économique dans les secteurs intéressés, il convient de ne prendre ces mesures de suspension qu'à titre temporaire, en fixant leur durée de validité en fonction de l'intérêt de la production communautaire,

A ARRÊTÉ LE PRÉSENT RÈGLEMENT:

Article premier

Les droits autonomes du tarif douanier commun relatifs aux produits énumérés dans le tableau figurant en annexe sont suspendus totalement.

Ces suspensions sont valables du 1er janvier au 30 juin 1995.

Article 2

Le présent règlement entre en vigueur le 1er janvier 1995.

Le présent règlement est obligatoire dans tous ses éléments et directement applicable dans tout État membre.

Fait à Bruxelles, le 19 décembre 1994.

Par le Conseil

Le président

K. KINKEL

ANNEXE

TABLEAU

"" ID="1">ex 8501 10 99> ID="2">*59> ID="3">Moteur pas à pas à courant continu, à angle de pas de 1,8° (±0,09°), avec un couple de blocage de 0,156 Nm ou plus, une bride de fixation dont les dimensions extérieures n'excèdent pas 43 × 43 mm, un mandrin d'un diamètre de 4 mm (±0,1 mm), un enroulement à deux phases et une puissance n'excédant pas 5 W> ID="4">0"> ID="1">ex 8501 10 99> ID="2">*77> ID="3">Moteur à courant continu avec balais, avec un couple de rotation typique de 0,004 Nm (±0,001 Nm), une bride de fixation d'un diamètre de 32 mm (±0,5 mm), un mandrin d'un diamètre de 2 mm (±0,004 mm), un rotor interne, un enroulement à trois phases, une vitesse nominale de 2 800 (±10 %) tours/minute et une tension d'alimentation de 12 V (±15 %)> ID="4">0"> ID="1">ex 8522 90 99> ID="2">*95> ID="3">Assemblage constitué d'un circuit de pilotage, d'un tachycapteur et d'un moteur à courant continu sans balais, avec un couple de rotation typique de 0,0044 Nm (±0,001 Nm), un arbre d'un diamètre de 3,523 mm (±0,002 mm), un rotor externe d'un diamètre de 69 mm (±0,3 mm), un enroulement à trois phases, une vitesse nominale de 2 600 (±16 %) tours/minute et une tension d'alimentation de 14 V (±10 %)> ID="4">0"> ID="1">ex 8531 80 90> ID="2">*30> ID="3">Dispositif d'affichage sous vide, fluorescent, constitué d'un circuit de rafraîchissement de mémoire, d'un circuit de génération de caractères, d'un convertisseur de courant continu à courant continu et des composants électroniques à fonctions de pilotage et/ou de contrôle> ID="4">0"> ID="1">ex 8536 50 90> ID="2">*93> ID="3">Unité de commutation pour câble coaxial, comprenant 3 commutateurs électromagnétiques, ayant une durée de commutation n'excédant pas 50 ms et un courant de commande n'excédant pas 500 mA à une tension de 12 V> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 10 99> ID="2">*40> ID="3">Diode, avec un courant direct n'excédant pas 1 A, une résistance n'excédant pas 1,5 ohm, une capacité totale n'excédant pas 0,3 pF et une tension de claquage de 200 V ou plus> ID="4">0"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*15> ID="3">Transistor à effet de champ (FET), pour des fréquences de 2 GHz ou plus mais n'excédant pas 10 GHz, ayant un pouvoir de dissipation n'excédant pas 6,5 W, enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">ATF 44101 ATF 46101"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*25> ID="3">Transistor à effet de champ (FET), ayant une tension de claquage drain-source de 200 V, fonctionnant avec un courant drain continu n'excédant pas 1,8 A, une résistance drain-source n'excédant pas 3 ohm et ayant un pouvoir de dissipation n'excédant pas 20 W, enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">IRF 9610"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*35> ID="3">Transistor à effet de champ (FET), ayant une tension de claquage drain-source de 600 V ou plus, fonctionnant avec un courant drain continu n'excédant pas 6,2 A, une résistance drain-source n'excédant pas 1,2 ohm et ayant un pouvoir de dissipation n'excédant pas 125 W, enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">IRFBC40"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*45> ID="3">Transistor à effet de champ (FET), ayant une tension de claquage drain-source de 60 ou 100 V, fonctionnant avec un courant drain continu n'excédant pas 9,6 A, une résistance drain-source n'excédant pas 0,28 ohm et ayant un pouvoir de dissipation n'excédant pas 125 W, enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">IRF 9540 IRFU 9024"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8541 29 90> ID="2">*80> ID="3">Transistor à effet de champ (FET), ayant une tension de claquage drain-source de 30 V ou plus, fonctionnant avec une résistance drain-source n'excédant pas 0,05 ohm et ayant un pouvoir de dissipation n'excédant pas 50 W, enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">SMD30N03 SMU30N03"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8541 60 00> ID="2">*94> ID="3">Cristal piézo-électrique, à l'exclusion des filtres à onde acoustique de surface, oscillant à une fréquence centrale de 450 kHz ou plus mais n'excédant pas 1 843 MHz> ID="4">0"> ID="1">ex 8542 11 21> ID="2">*02> ID="3">Mémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-RAM), réalisée en technologie C-MOS, d'une capacité de mémorisation de 2 K × 8 bits et ayant un temps d'accès n'excédant pas 20 ns, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">IDT 6116LA20 IDT 6116SA20"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 73> ID="2">*14> ID="3">Microcontrôleur ou micro-ordinateur d'une capacité de traitement de 16 bits, réalisé en technologie C-MOS, comprenant une mémoire à lecture exclusivement, non programmable (ROM) d'une capacité de mémorisation de 64 Kbits, une mémoire à lecture-écriture à accès aléatoire (RAM) d'une capacité de mémorisation de 32 Kbits et une antémémoire statique à lecture-écriture à accès aléatoire (S-cache-RAM) d'une capacité de mémorisation de 15 × 16 bits, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">DSP16A"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 82> ID="2">*07> ID="3">Circuit de contrôle, réalisé en technologie C-MOS, permettant le pilotage d'un dispositif d'affichage à diodes émettrices de lumière (LEDs), sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">ECN 2102 ECN 2112 D 16302 D 16306"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*48> ID="3">Convertisseur numérique/analogique à 8 bits, réalisé en technologie C-MOS, comprenant un amplificateur tampon de sortie, un circuit d'interface sériel et au moins 12 canaux, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">M 62352P"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*50> ID="3">Temporisateur/compteur d'intervalles programmables, réalisé en technologie C-MOS, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">82C54"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*56> ID="3">Bascule (flip-flop) de type D double, réalisée en technologie C-MOS, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">74 AC 74"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*62> ID="3">Récepteur de ligne différentielle quadruple, réalisé en technologie C-MOS, ayant un temps de propagation typique n'excédant pas 19 ns, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">DS34C86 DS34C87"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*66> ID="3">Commutateur à points de croisement à 8 × 16 bits, réalisé en technologie C-MOS, permettant la commutation à une fréquence de 20 MHz, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">MT 8816"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 86> ID="2">*74> ID="3">Convertisseur sériel/parallèle, réalisé en technologie C-MOS, permettant le pilotage d'un dispositif d'affichage, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">HV 5122 HV 5222 HV 5306 HV 5308 HV 5406 HV 5408 HV 7708"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 95> ID="2">*03> ID="3">Circuit de contrôle, réalisé en technologie bipolaire, permettant le pilotage de 2 lignes à modulation par impulsion codée (Pulse Code Modulation/PCM) à une vitesse de transfert n'excédant pas 10 Mbits/s, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">XRT5675"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 95> ID="2">*04> ID="3">Verrou (latch)/registre, réalisé en technologie bipolaire, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">TD62C948"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 11 98> ID="2">*29> ID="3">Émetteur/récepteur à modulation par impulsion codée, réalisé en technologie bipolaire, permettant le raccordement de vitesse de ligne de 2 048 ou 8 448 Mbits/s, sous forme de circuit intégré monolithique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">XRT 5683 XRT 56L85"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 30> ID="2">*13> ID="3">Amplificateur ayant un gain typique de 10,5 dB à une fréquence de 2 GHz et ayant une puissance de sortie de 10 dBm (10 mW), sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">MAR 3SM"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 30> ID="2">*14> ID="3">Amplificateur vidéo, réalisé en technologie bipolaire, ayant une largeur de bande de 200 MHz, comprenant un circuit de contrôle de contraste, un comparateur et un circuit de tension de référence, sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">LM 1201"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 30> ID="2">*16> ID="3">Amplificateur video, réalisé en technologie bipolaire, ayant une largeur de bande de 100 ou 130 MHz, permettant l'amplification séparée des signaux de couleur rouge, vert et bleu (RGB), comprenant au moins un circuit de contrôle de contraste et un comparateur, sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">HA 11533NT LM 1205"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 30> ID="2">*17> ID="3">Amplificateur vidéo, réalisé en technologie bipolaire, ayant une largeur de bande de 150 MHz, comprenant 3 amplificateurs, 3 circuits de contrôle de contraste, 3 comparateurs et un circuit de tension de référence, sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">LM 1203"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 30> ID="2">*18> ID="3">Amplificateur video, réalisé en technologie bipolaire, ayant une largeur de bande de 230 MHz, comprenant un circuit de contrôle de contraste, un circuit de contrôle d'atténuation et un comparateur, sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">LM 1202"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 80> ID="2">*82> ID="3">Mélangeur/oscillateur, ayant une gamme de fréquences de 48 MHz ou plus mais n'excédant pas 860 MHz, comprenant un commutateur de bande de fréquences et un amplificateur de fréquences intermédiaire (IF), sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">TDA 5330"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 80> ID="2">*83> ID="3">Démodulateur à boucle de verouillage de phase (Phase Locked Loop/PLL), ayant une fréquence d'opération typique de 480 MHz, comprenant un oscillateur et un détecteur de fréquences porteuses, sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">TDA 8012M"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 80> ID="2">*84> ID="3">Circuit pour l'isolation de signaux d'erreurs, comprenant un modulateur d'amplitude et un amplificateur, sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">UC 1901 UC 2901 UC 3901"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 80> ID="2">*85> ID="3">Dispositif de commutation, en matériau semi-conducteur arséniure de gallium (AsGa), ayant une perte d'insertion n'excédant pas 1,6 dB à une fréquence de 2 GHz, sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">SW 239 SW 259 SW 419"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 80> ID="2">*86> ID="3">Circuit d'atténuation, en matériau semi-conducteur arséniure de gallium (AsGa), permettant une gamme d'atténuation réglable par variation de tension n'excédant pas 40 dB à une fréquence de 0,9 GHz, sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">AT 108"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 19 80> ID="2">*87> ID="3">Circuit à modulation par impulsion codée adaptable différenciée, réalisé en technologie C-MOS, pour le codage/décodage de données avec une vitesse de transfert de données de 8, 16, 24, 32 ou 64 Kbits par seconde, sous forme de circuit intégré monolithique analogique enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant la combinaison alphanumérique suivante:"> ID="3">T 7 280"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description"> ID="1">ex 8542 20 50> ID="2">*80> ID="3">Amplificateur, opérant dans une gamme de fréquences de 68 MHz à 470 MHz, ayant une puissance de sortie n'excédant pas 40 W et une puissance d'entrée de 150 mW ou plus, sous forme de circuit intégré hybride enserré dans un boîtier portant:> ID="4">0"> ID="3">- un sigle d'identification consistant en/ou comprenant une des combinaisons alphanumériques suivantes:"> ID="3">BGY 135 BGY 145 BGY 45"> ID="3">ou"> ID="3">- d'autres sigles d'identification se rapportant à des produits qui satisfont à la présente description">