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AbstractAbstract
[en] We have studied radiation damage in TaC 1-x at 21 K, by means of electrical resistivity measurements. Threshold displacement energies and specific resistivities of C and of Ta defects have been determined, as well as the C recombinations volume. From isochronal and isothermal recovery experiments versus composition x, electron energy and dose we have separated the recovery stages of C and of Ta defects (three stages at 80 K, 170 K and 275 K for C and one stage between 40 and 180 K for Ta). They are due to interstitial migration mechanisms. The first stage at 80 K results from close pair recombination with a given activation energy. The three stages structures of C defects desappears for x=0,20, with just one single stage (between 40 K and 250 K, 200% high). This can be related to modifications of the vacancy order parameters due to instertitial migration
[fr]
Nous avons etudie par resistivite electrique a 21 K les effets de l'irradiation dans TaC1-x. Les energies seuils de deplacement et les resistivites specifiques des defauts Ta et C ont ete determines. Le volume de recombinaison des defauts C a ete mesure. L'etude des recuits isochrones et isothermes des defauts crees en fonction de la composition x, de l'energie des electrons et de la dose, nous a permis de separer les stades de recuit du carbone et du tantale (trois stades a 80 K, 170 K et 275 K pour C et un stade entre 40 et 180 K pour Ta). Ils correspondent a la migration de defauts de type interstitiel. Le premier stade du carbone est associe a des recombinaisons de paires proches avec une energie d'activation donnee. La structure en trois stades de C disparait pour x=0,20 avec un seul stade (entre 40 et 250 K) d'amplitude 200% qui peut etre relie aux problemes d'ordre de lacunes de structuresOriginal Title
Defauts d'irradiation aux electrons dans les carbures de tantale
Primary Subject
Source
Feb 1987; 120 p; These (D. Ing.).
Record Type
Report
Literature Type
Thesis/Dissertation
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Country of publication
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