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Ponpon, J.P.; Siffert, P.
Strasbourg-1 Univ., 67 (France). Centre de Recherches Nucleaires1976
Strasbourg-1 Univ., 67 (France). Centre de Recherches Nucleaires1976
AbstractAbstract
[en] The increase of the open circuit voltage de Schottky silicon solar cells can be obtained by three different ways: a proper choice of the metal (MS structure), the use of MIS structure with an interfacial implanted layer and the use of a MOS structure. These structures have been studied and the main results will be presented, especially, the dependence of the open circuit voltage upon the barrier height at the contact. Special attention has been devoted to the study of gold-oxide-n type silicon diodes. Depending upon the properties of the oxide interfacial layer the open circuit voltages has been increased up to 550mV, that is an improvement of about 70%
[fr]
L'augmentation de la tension en circuit ouvert des cellules solaires du type diode Schootky peut etre obtenue de diverses facons, entre autres par un choix convenable du metal (structure M-S), par l'utilisation d'une zone interfaciale implantee (structure MIS) ou par l'emploi d'une structure MOS. On a etudie ces differentes structures et on presente les resultats essentiels, en particulier, la dependance de la tension en circuit ouvert vis-a-vis de la hauteur de barriere de potentiel au contact metal-semiconducteur. Un effort particulier a ete apporte a l'etude des diodes or-oxyde-silicium N. Selon les proprietes de la couche d'oxyde interfaciale, la tension en circuit ouvert de ces dispositifs a pu etre augmentee jusqu'a 550mV, soit un gain d'environ 70%Original Title
Tension en circuit ouvert des cellules solaires de type MIS au silicium
Source
1976; 10 p; International colloquium on solar electricity; Toulouse, France; 1 Mar 1976
Record Type
Report
Literature Type
Conference
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