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AbstractAbstract
[en] According to the invention, the ion source makes it possible to obtain ion beams with a high mass and relatively high current density of around several mA/cm2, particularly ions of uranium oxide UO2. The source of primary ions gives argon ions generated by high frequency heating. A charge exchange box fed from this source of primary ions delivers an atomic or molecular jet of the elements, at the outlet, corresponding to the at least partial neutralisation of the primary ions. A target intercepting the molecular output jet of the charge exchange box contains the compound from which it is desired to generate the high mass ion beam. Last, an electrode near the target is brought to a positive potential. The decisive advantage is the use of a neutral or at least partially neutralised molecular (or atomic) jet. This suppressed the space charge phenomenon
[fr]
La source d'ions selon l'invention permet d'obtenir des faisceaux d'ions de masse elevee et de densite de courant relativement elevee de l'ordre de plusieurs mA/cm2, notamment des ions d'oxyde d'uranium UO2. La source d'ions primaires donne des ions d'argon crees par chauffage a haute frequence. Une boite d'echange de charge alimentee par cette source d'ions primaires delivre en sortie un jet atomique ou moleculaire des elements correspondant a la neutralisation au moins partielle des ions primaires. Une cible interceptant le jet moleculaire de sortie de la boite d'echange de charge, contient le compose a partir duquel on veut creer le faisceau d'ions de masse elevee. Enfin une electrode au voisinage de la cible est portee a un potentiel positif. L'avantage determinant est d'utiliser un jet moleculaire (ou atomique) neutre ou au moins partiellement neutralise. Ceci supprime le phenomene de charge d'espaceOriginal Title
Source d'ions de masse elevee, notamment d'ions d'oxyde d'uranium UO2
Primary Subject
Source
25 Jul 1975; 6 p; FR PATENT DOCUMENT 2319194/A/; Available from Institut National de la Propriete Industrielle, Paris (France)
Record Type
Patent
Country of publication
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INIS IssueINIS Issue