[en] The investigation is devoted to donor centers creating in silicon behind the range of the direct penetration of implanted oxygen ions in the temperature range 350-550 deg C. It is found that oxygen ion implantation into silicon grown by the Czochralski method is accompanied during the annealing by the accelerated introduction of thermodonors practically across the whole thickness of studied crystals. The action of the hydrostatic pressure accelerates the creation of donor centers even to a greater degree. It is concluded that the accelerated introduction of donors is bound with the diffusion of radiation defects from the implanted layer into the crystal volume with the diffusion coefficient no less 1 x 10-7 cm2/s
[ru]
Исследованы донорные центры, формирующиеся в кремнии за областью непосредственного проникновения имплатированных ионов кислорода, в интервале температур 350-550 град. С. Установлено, что имплантация ионов кислорода в кремнии, выращенном методом Чохральского, сопровождается при отжиге ускоренным введением термодоноров практически по всей толщине исследованных кристаллов. Воздействие гидростатического давления еще в большей степени ускоряет процесс формирования донорных центров. Полученные данные позволяют сделать вывод, что ускоренное введение доноров связано с диффузией из имплантированного слоя в объем кристалла радиационных дефектов с коэффициентом диффузии не менее 1 х 10-7 см2/сJournal
