Post di Antonio Cirella

Toshiba Electronics Europe GmbHannuncia l’introduzione di quattro #fotoaccoppiatori che risolvono i problemi causati dai segnali con tempi lenti di salita e discesa del segnale e dagli alimentatori ad avvio lento. Leggi la notizia completa 👉🏻 https://lnkd.in/en7ddRzM e scopri dove poterlo acquistare grazie a oemsecrets.com e registrati su #ElettronicaTECH per non perdere tutti gli aggiornamenti!

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I nuovi dispositivi in package L-TOGL™ offrono prestazioni termiche eccellenti. Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanciato due dispositivi MOSFET di potenza a canale N per automotive in risposta alla crescente domanda di batterie e sistemi da 48 V per applicazioni automotive, tra cui inverter, relè a semiconduttore, interruttori di carico, azionamenti di motori e altro ancora. Il settore automotive richiede semiconduttori di potenza in grado di offrire alti livelli di affidabilità abbinati a valori elevati di corrente di drain (ID) e a un'eccellente dissipazione del calore. Ciò è particolarmente vero per i dispositivi utilizzati negli inverter di trazione, nei sistemi di gestione delle batterie, nelle scatole di giunzione dei veicoli elettrici (EV) e nei generatori di avviamento integrati (ISG). I nuovi XPQR8308QB da 80 V e XPQ1R00AQB da 100 V si basano sul recente processo U-MOS XH di Toshiba. Quest’ultimo offre bassi livelli di resistenza attiva (RDS(ON)), pari a meno

I nuovi dispositivi in package L-TOGL™ offrono prestazioni termiche eccellenti. Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanciato due dispositivi MOSFET di potenza a canale N per automotive in risposta alla crescente domanda di batterie e sistemi da 48 V per applicazioni automotive, tra cui inverter, relè a semiconduttore, interruttori di carico, azionamenti di motori e altro ancora. Il settore automotive richiede semiconduttori di potenza in grado di offrire alti livelli di affidabilità abbinati a valori elevati di corrente di drain (ID) e a un'eccellente dissipazione del calore. Ciò è particolarmente vero per i dispositivi utilizzati negli inverter di trazione, nei sistemi di gestione delle batterie, nelle scatole di giunzione dei veicoli elettrici (EV) e nei generatori di avviamento integrati (ISG). I nuovi XPQR8308QB da 80 V e XPQ1R00AQB da 100 V si basano sul recente processo U-MOS XH di Toshiba. Quest’ultimo offre bassi livelli di resistenza attiva (RDS(ON)), pari a meno

I fotorelè offrono una serie di vantaggi rispetto ai relè meccanici nelle apparecchiature ATE a semiconduttore. In questo articolo sono illustrati gli attributi chiave da considerare quando si seleziona un fotorelè per questo tipo di applicazione ed evidenzia il TLP3412SRLAA di Toshiba Electronics Europe GmbH come una delle opzioni più adatte, date le sue prestazioni e affidabilità. Leggi la notizia completa👉🏻 https://lnkd.in/dvgXX_pK e registrati su #ElettronicaTECH per non perdere tutti gli aggiornamenti!

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Le nuove aggiunte migliorano le caratteristiche di recupero inverso che sono fondamentali per le applicazioni di raddrizzamento sincrono.  www.global.toshiba Toshiba Electronics Europe GmbH ha lanciato un nuovo MOSFET di potenza a canale N da 150 V basato sul processo U-MOS XH Trench di ultima generazione. I dispositivi TPH1100CQ5 e TPH1400CQ5 sono progettati specificamente per l'utilizzo negli alimentatori a commutazioni ad alte prestazioni, come quelli utilizzati nei data center e nelle stazioni base di comunicazione, nonché in altre applicazioni industriali. Con una tensione massima al drain-source (VDSS) di 150 V e una corrente di drain (ID) supportata di 49 A (TPH1100CQ5) e 32 A (TPH1400CQ5), i nuovi dispositivi sono dotati di una resistenza massima di drain-source in conduzione (RDS(ON)) rispettivamente di 11 mΩ e 14 mΩ. I nuovi prodotti offrono caratteristiche di recupero inverso migliorate che sono fondamentali nelle applicazioni di raddrizzamento sincrono. Nel

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