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SAQP: Huawei brevetta i chip a 5nm con tecnologia a 7nm
Tempo fa, Huawei ha prodotto lotti di chip a tecnologia equivalente a 7 nm avendo a disposizione macchine per produrre chip a 14 nm. Successivamente, Huawei e Xinkailai (società statale per la produzione di macchinari per chip, analoga quindi ad ASML) hanno ottenuto il brevetto per un metodo potenzialmente efficace per la fabbricazione di semiconduttori avanzati, attraverso la tecnologia del quadruplo patterning autoallineato (SAQP). Questo approccio potrebbe ridurre la dipendenza dalle costose apparecchiature di litografia e permettere la produzione di chip avanzati senza l'equipaggiamento di litografia ultravioletta estrema (EUV) prodotto da ASML.
La tecnologia del quadruplo patterning consente di incidere più volte i wafer di silicio per portar via più materiale, di fatto riducendo le dimensioni del nodo (transistor equivalente). SiCarrier, un'azienda supportata dallo Stato, ha usato la litografia ultravioletta profonda (DUV) con la tecnologia SAQP per raggiungere soglie tecniche comparabili a quelle dei chip a 5 nanometri senza ricorrere a macchinari EUV.
La Cina è attualmente in grado di produrre chip a 7nm contro i 3 nm dei leader mondiali. SAQP la porterebbe a 5nm equivalenti, riducendo il gap tecnologico.
Oltre che il semiconduttore, il brevetto copre anche gli strati di metallo per le interconnessioni. Il sistema appare quindi completo, ma non è detto che questo brevetto copra tutte le parti.
C’è da chiedersi inoltre come vadano parametri quali costi, densità complessiva dei nodi, costi energetici e rese nette per wafer. L’impressione è che tutti questi parametri siano negativi per il business plan complessivo, almeno visto come lo vediamo oggi.
L'immagine qui sotto è presa da SemiWiki (per un progetto del 2020 con geometrie più grandi delle attuali)
Ingegnere elettronico
10 mesiÈ un transistor promettente. È anche lui nato presso i laboratori UCSB dell'Università di California sotto la guida del Prof. Umesh Misura che ha inventato il transistor GaN. I primi transistor GaN sono stati simulati con un programma scritto in Fortran presso i Watson Lab di IBM negli Stati Uniti. Il programma si chiama DAMOCLES e fu scritto da Max Fischetti, uno ricercatore italiano che lavorava in IBM. ---- Pizzico di vanita' : Ho lavorato su DAMOCLES per circa 8 mesi back in 1995 su HEMT transistor compound III-V ho visto nascere i GaN e li ho seguiti fino a quando sono diventati main stream. Dicevo ai miei ex colleghi studenti: "Siete dei Top-Gan"