檢 “피해액 최대 年10.5조원
가벼운 처벌로 끝내면 안돼”
가벼운 처벌로 끝내면 안돼”
서울중앙지법 형사25부(부장판사 지귀연)는 12일 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 전직 삼성전자 기술팀 부장 김 모씨(56) 등 5명(3명 구속, 2명 불구속)에 대한 결심공판을 진행했다. 검찰은 김씨에게 징역 20년을 구형했고, 함께 재판에 넘겨진 엔지니어들에게는 징역 2~10년을 구형했다. 검찰에 따르면 삼성전자 기술팀 부장 출신이자 범행 주도자인 김씨는 중국에 반도체 D램 제조의 핵심인 원자층 증착(ALD) 장비 개발에 성공한 회사가 없다는 점을 노려 새로운 반도체 장비 업체 A법인을 설립했다.
검찰은 “피고인들이 유출하고 부정 사용한 자료는 피해 회사가 다년간 연구하고 개발한 것이자 국가핵심기술인데, 가볍게 처벌한다면 기업들로서는 오랜 시간과 비용을 들여 기술 개발에 매진할 동기가 없어진다”면서 “삼성전자는 최소 연간 4조5000억원에서 10조5000억원에 이르는 막대한 피해를 입었다”며 이같이 구형했다. 삼성전자는 18나노 D램을 개발하기 위해 2012년 4월부터 2016년 2월까지 1조6000억원을 투입했고 현재까지 총 2조3000억원 개발비를 지출한 것으로 조사됐다.
김씨는 2022년 2~9월 삼성전자의 반도체 증착 장비에 대한 설계 기술 자료를 별도 서버에 몰래 전송했다. 또 급여와 A법인 주식 배분을 보장하겠다면서 반도체 장비 제조 업체 직원 3명을 A법인으로 이직하게 했다. 검찰 조사 결과 이들은 피해 회사의 도면, 레시피, 연구개발(R&D) 자료 등 각종 기술 자료를 한국에 구축한 별도 서버에 저장했는데, A법인이 유출해 저장한 삼성전자 기술 자료는 1만건이 넘는 것으로 확인됐다. 김씨가 이직하게 한 이들도 이직 전 취급하던 핵심 기술 자료를 외부로 빼돌렸는데, 이 자료들은 이후 ALD 제작에 사용된 것으로 조사됐다.
한편 김씨는 삼성전자의 다른 핵심 기술인 18나노 D램 공정 기술 자료를 유출한 혐의로 지난 1월 구속기소됐다. 이들에 대한 1심 선고는 내년 1월 22일 오후 2시에 열릴 예정이다.
