Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Matra MHS |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 120 ns |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 |
| 内存密度 | 16384 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端口数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 可输出 | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最小待机电流 | 2 V |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | DUAL |
| HM3-6116-5 | HM3-6116L-9 | HM3-6116-6 | HM4-6116L-2 | |
|---|---|---|---|---|
| 描述 | Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24 | Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, PDIP24 | Standard SRAM, 2KX8, CMOS, PDIP24 | Standard SRAM, 2KX8, 120ns, CMOS, CQCC32 |
| 厂商名称 | Matra MHS | Matra MHS | Matra MHS | Matra MHS |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow | unknow | unknow |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | 3A001.A.2.C |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 | R-PDIP-T24 | R-PDIP-T24 | R-CQCC-N32 |
| 内存密度 | 16384 bi | 16384 bi | 16384 bi | 16384 bi |
| 内存集成电路类型 | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM | STANDARD SRAM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端口数量 | 1 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 24 | 32 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
| 输出特性 | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 可输出 | YES | YES | YES | YES |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | IN-LINE | IN-LINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 最小待机电流 | 2 V | 2 V | 2 V | 2 V |
| 表面贴装 | NO | NO | NO | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | NO LEAD |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL | QUAD |
| 最长访问时间 | 120 ns | 120 ns | - | 120 ns |
| 最高工作温度 | 70 °C | 85 °C | - | 125 °C |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V | - | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 4.5 V | 4.5 V | - | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 5 V | 5 V | - | 5 V |
| 温度等级 | COMMERCIAL | INDUSTRIAL | - | MILITARY |
Linux与安卓
ARM技术
NXP MCU
51单片机
电子竞赛
嵌入式系统
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
