Trois procedes destines a la realisation de cellules solaires a base de silicium ont ete etudies: l'implantation d'ions de faible energie, la decharge reactive et les barrieres de Schottky prebombardees. Les caracteristiques des contacts obtenus par ces differentes methodes ont ete comparees, en particulier la profondeur de la jonction et la resistance de surface. Les resultats preliminaires enregistres montrent l'interet de ces techniques pour la fabrication de cellules solaires destinees a des applications terrestres

 Le rendement des cellules solaires au silicium realisees par diode Schottky depend essentiellement de la hauteur de la barriere de potentiel au contact metal-semiconducteur. On propose ici deux procedes permettant de porter cette barriere aux environs de 1eV, soit par evaporation de hafnium sur du silicium P, soit par une implantation d'ions avant la formation d'une diode Schottky a l'or sur du silicium N

 La tension en circuit ouvert de cellules solaires a structure MIS sur du silicium de type N a ete etudiee. Des couches interfaciales de SiOsub(x) evaporees ou deposees chimiquement ont ete utilisees. Les meilleurs resultats ont ete obtenus sur du silicium poli possedant une couche interfaciale evaporee. Des tensions en circuit ouvert atteignant 0,55V ont ete mesurees. L'influence sur la tension en circuit ouvert de divers parametres tels que n ou PHIsub(Bn) est discutee

 L'augmentation de la tension en circuit ouvert des cellules solaires du type diode Schootky peut etre obtenue de diverses facons, entre autres par un choix convenable du metal (structure M-S), par l'utilisation d'une zone interfaciale implantee (structure MIS) ou par l'emploi d'une structure MOS. On a etudie ces differentes structures et on presente les resultats essentiels, en particulier, la dependance de la tension en circuit ouvert vis-a-vis de la hauteur de barriere de potentiel au contact metal-semiconducteur. Un effort particulier a ete apporte a l'etude des diodes or-oxyde-silicium N. Selon les proprietes de la couche d'oxyde interfaciale, la tension en circuit ouvert de ces dispositifs a pu etre augmentee jusqu'a 550mV, soit un gain d'environ 70%

 Les progres realises dans le domaine des nouveaux semiconducteurs permettent maintenant de construire des detecteurs fonctionnant a temperature ambiante. Un debitmetre destine a la radioprotection individuelle et utilisant des detecteurs au CdTe et a l'HgI₂ a ete mis au point. L'electronique est decrite en detail. Deux methodes d'attenuation des effets de polarisation dans le temps sont presentees

 On decrit les performances actuelles des compteurs de rayonnements a base de germanium ultra-pur (Ge H.P.), de tellure de cadmium (Cd Te) et d'iodure mercurique (HgI₂). Plusieurs domaines d'application de ces detecteurs sont egalement indiques