Smart like GaNdalf
Many thanks to Stefan Mönch from Fraunhofer IAF for the great project work, super professional. 👏
We are pleased to be able to test V2X in the field in the many projects with our current BiDi platform, but at the same time we also have to look ahead.
Ambibox GmbH has been using SiC semiconductors for 10 years, admittedly 10 hard years, because the first samples didn't work very well and we also had big problems interpreting the data sheets. But SiC is standard today, all forecasts for the possibilities of this technology have come true, the future roadmaps of the SiC semiconductor manufacturers are known.
Now it's on to GaN, Galliumnitrid. Here, too, we all still have a lot to learn. GaN could be the next big thing, though it remains to be seen whether the development step will be as big as that from Si to SiC. Challenges are not the integration, it's EMC (elctromagnetic compatibility) due to much higher switching frequencies. We are happy to cooperate with TDK on this topic also.
“Smart as a GaNdalf” is written on one of our whiteboards. We hope it comes to that. Ambibox is developing a bidirectional charging cable as part of the project, that cable box is to be used outside the vehicle architecture as an on-board charger. We hope that this will significantly minimize the system costs for an OBC and enable V2H and V2H in the same device.
The legal regulations for AC-BiDi, are currently being defined at the European level, and we hope to be in series with the device in time for it to come into force in 2028.
#ambibox #ambicharge #SiC #GaN #V2G #V2H #V2B #OBC #fraunhoferIAF #GaN4EmoBiL #TDK #infineon #gansystems
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#Energiewende #Elektromobilität #Innovation #GaN4EmoBiL
Durch 𝐛𝐢𝐝𝐢𝐫𝐞𝐤𝐭𝐢𝐨𝐧𝐚𝐥𝐞𝐬 𝐋𝐚𝐝𝐞𝐧 kann ein 𝐄𝐥𝐞𝐤𝐭𝐫𝐨𝐟𝐚𝐡𝐫𝐳𝐞𝐮𝐠 nicht nur Energie aus dem Stromnetz beziehen, sondern auch 𝐒𝐭𝐫𝐨𝐦 𝐢𝐧 𝐝𝐚𝐬 𝐍𝐞𝐭𝐳 𝐳𝐮𝐫ü𝐜𝐤𝐬𝐩𝐞𝐢𝐬𝐞𝐧 𝐨𝐝𝐞𝐫 𝐚𝐧 𝐚𝐧𝐝𝐞𝐫𝐞 𝐆𝐞𝐫ä𝐭𝐞 𝐚𝐛𝐠𝐞𝐛𝐞𝐧. Und das bringt enorme 𝐕𝐨𝐫𝐭𝐞𝐢𝐥𝐞: So können Elektrofahrzeuge dazu beitragen, Schwankungen im Stromnetz auszugleichen, Strom zu günstigen Zeiten zu speichern und teuren Netzstrom zu Spitzenzeiten zu vermeiden und nicht zuletzt mithilfe der Zwischenspeicherung Strom aus erneuerbaren Energiequellen besser zu integrieren. Das bidirektionale Laden ist damit nicht nur ein wichtiger Baustein der Energiewende, sondern auch von großem Nutzen für die Anwender.
Da bisherige technologische Ansätze den Ansprüchen an Kosten und Effizienz noch nicht gerecht werden, arbeitet das Forschungsteam von GaN4EmoBiL an einer neuen Technologie, die drei Merkmale vereint: hohe Effizienz, geringe Kosten und kompakte Bauform. So soll eine effiziente und kostengünstige Technologie entstehen, von der möglichst viele Menschen profitieren.
Am 14. November 2024 trafen sich die Partner des Forschungsprojekts GaN4EmoBiL am Fraunhofer IAF und stellten ihre Zwischenergebnisse vor. Der zweite Meilenstein wurde erreicht: Ergebnisse 𝐳𝐮 𝐞𝐫𝐬𝐭𝐞𝐧 𝐥𝐚𝐭𝐞𝐫𝐚𝐥𝐞𝐧 1200𝐕 𝐆𝐚𝐍-𝐓𝐫𝐚𝐧𝐬𝐢𝐬𝐭𝐨𝐫𝐞𝐧 𝐚𝐮𝐟 𝐚𝐥𝐭𝐞𝐫𝐧𝐚𝐭𝐢𝐯𝐞𝐧 𝐢𝐬𝐨𝐥𝐢𝐞𝐫𝐞𝐧𝐝𝐞𝐧 𝐒𝐮𝐛𝐬𝐭𝐫𝐚𝐭𝐞𝐧 (u. a. Sapphir) wurden vorgestellt. In der nächsten Projektphase geht es für die Partner nun darum, die bislang entwickelten Bauelemente in 𝐃𝐞𝐦𝐨𝐧𝐬𝐭𝐫𝐚𝐭𝐨𝐫𝐞𝐧 𝐟ü𝐫 800𝐕-𝐁𝐚𝐭𝐭𝐞𝐫𝐢𝐞𝐬𝐩𝐚𝐧𝐧𝐮𝐧𝐠𝐞𝐧 𝐢𝐧 𝐝𝐞𝐫 𝐄𝐥𝐞𝐤𝐭𝐫𝐨𝐦𝐨𝐛𝐢𝐥𝐢𝐭ä𝐭 zu integrieren.
Stefan Mönch
Michael Basler
Daniel Grieshaber
Richard Reiner
Etienne Dr. Fogang Tchonla
Morris Fuller
Klaas Strempel
Dominik Koch
Jeremy Nuzzo
Aline Reck
Mani Yousefpour
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